2025-04-24 08:19:55
定義與特性
負(fù)性光刻膠是一種在曝光后,未曝光區(qū)域會(huì)溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比,其主要特點(diǎn)是耐蝕刻性強(qiáng)、工藝簡(jiǎn)單、成本低,但分辨率較低(通?!?μm),主要應(yīng)用于對(duì)精度要求相對(duì)較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場(chǎng)景。
化學(xué)組成與工作原理
主要成分
基體樹脂:
? 早期以聚異戊二烯橡膠(天然或合成)為主,目前常用環(huán)化橡膠(Cyclized Rubber)或聚乙烯醇肉桂酸酯,提供膠膜的機(jī)械強(qiáng)度和耐蝕刻性。
光敏劑:
? 主要為雙疊氮化合物(如雙疊氮芪)或重氮醌類衍生物,占比約5%-10%,吸收紫外光后引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)。
交聯(lián)劑:
? 如六亞甲基四胺(烏洛托品),在曝光后與樹脂發(fā)生交聯(lián),形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
溶劑:
? 多為有機(jī)溶劑(如二甲苯、環(huán)己酮),溶解樹脂和光敏劑,涂布后揮發(fā)形成均勻膠膜。
工作原理
曝光前:光敏劑和交聯(lián)劑均勻分散在樹脂中,膠膜可溶于顯影液(有機(jī)溶劑)。
曝光時(shí):
? 光敏劑吸收紫外光(G線436nm為主)后產(chǎn)生活性自由基,引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂分子間的共價(jià)鍵交聯(lián),使曝光區(qū)域形成不溶于顯影液的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
顯影后:
? 未曝光區(qū)域的樹脂因未交聯(lián),被顯影液溶解去除,曝光區(qū)域保留,形成負(fù)性圖案(與掩膜版相反)。
吉田半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)光刻膠技術(shù)突破,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供材料支撐。江西激光光刻膠國(guó)產(chǎn)廠家
關(guān)鍵工藝流程
涂布:
? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調(diào)整),需均勻無(wú)氣泡(旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm)。
前烘(Soft Bake):
? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強(qiáng)附著力(避免顯影時(shí)邊緣剝離)。
曝光:
? 光源匹配:
? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。
? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準(zhǔn)分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲(chǔ)芯片)。
? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級(jí)缺陷)。
? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm?),避免過(guò)曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真。
顯影:
? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區(qū)域膠膜溶解,未曝光區(qū)域保留,形成三維立體圖案。
后烘(Post-Exposure Bake, PEB):
? 化學(xué)增幅型膠需此步驟,通過(guò)加熱(90-130℃)激發(fā)光酸催化反應(yīng),提高分辨率和耐蝕刻性。
浙江網(wǎng)版光刻膠品牌吉田半導(dǎo)體光刻膠,45nm 制程驗(yàn)證,國(guó)產(chǎn)替代方案!
差異化競(jìng)爭(zhēng)策略
在高級(jí)市場(chǎng)(如ArF浸沒(méi)式光刻膠),吉田半導(dǎo)體采取跟隨式創(chuàng)新,通過(guò)優(yōu)化現(xiàn)有配方(如提高酸擴(kuò)散抑制效率)逐步縮小與國(guó)際巨頭的差距;在中低端市場(chǎng)(如PCB光刻膠),則憑借性價(jià)比優(yōu)勢(shì)(價(jià)格較進(jìn)口產(chǎn)品低20%-30%)快速**占份額,2023年P(guān)CB光刻膠市占率突破10%。
前沿技術(shù)儲(chǔ)備
公司設(shè)立納米材料研發(fā)中心,重點(diǎn)攻關(guān)分子玻璃光刻膠和金屬有機(jī)框架(MOF)光刻膠,目標(biāo)在5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)EUV光刻膠的實(shí)驗(yàn)室級(jí)突破。此外,其納米壓印光刻膠已應(yīng)用于3D NAND存儲(chǔ)芯片的孔陣列加工,分辨率達(dá)10nm,為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商提供了替代方案。
吉田半導(dǎo)體 YK-300 正性光刻膠:半導(dǎo)體芯片制造的材料
YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達(dá) 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導(dǎo)體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,在顯影與蝕刻過(guò)程中保持圖形穩(wěn)定性。產(chǎn)品已通過(guò)中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證,良率達(dá) 98% 以上,生產(chǎn)過(guò)程執(zhí)行 ISO9001 標(biāo)準(zhǔn),幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產(chǎn)與定制化需求,為國(guó)產(chǎn)芯片制造提供穩(wěn)定材料支撐。
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技術(shù)優(yōu)勢(shì):23年研發(fā)沉淀與細(xì)分領(lǐng)域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發(fā)中實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過(guò)自主開發(fā)的樹脂體系,實(shí)現(xiàn)了3μm的分辨率,適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域。
技術(shù)壁壘:公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn),掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術(shù),部分原材料純度達(dá)PPT級(jí)。
細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)先進(jìn)
? 納米壓印光刻膠:在納米級(jí)圖案化領(lǐng)域(如量子點(diǎn)顯示、生物芯片)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,分辨率達(dá)3μm,**國(guó)內(nèi)空缺。
? LCD光刻膠:針對(duì)顯示面板行業(yè)需求,開發(fā)出高感光度、高對(duì)比度的光刻膠,適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù)。
研發(fā)投入與合作
公司2018年獲高新技術(shù)性企業(yè)認(rèn)證,與新材料領(lǐng)域同伴們合作開發(fā)半導(dǎo)體光刻膠,計(jì)劃2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā)。
光刻膠是有什么東西?中山光刻膠價(jià)格
半導(dǎo)體光刻膠:技術(shù)領(lǐng)域取得里程碑。江西激光光刻膠國(guó)產(chǎn)廠家
企業(yè)定位與資質(zhì)? 市場(chǎng)布局:產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球,與世界500強(qiáng)企業(yè)及多家電子加工企業(yè)建立長(zhǎng)期合作關(guān)系,覆蓋集成電路、顯示面板、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域。
江西激光光刻膠國(guó)產(chǎn)廠家
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來(lái)、有夢(mèng)想有目標(biāo),有組織有體系的公司,堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來(lái)的道路上大放光明,攜手共畫藍(lán)圖,在廣東省等地區(qū)的電工電氣行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源,也收獲了良好的用戶**,為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ),也希望未來(lái)公司能成為行業(yè)的翹楚,努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量,我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息,斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將引領(lǐng)吉田半導(dǎo)體供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌,共創(chuàng)佳績(jī),一直以來(lái),公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針,員工精誠(chéng)努力,協(xié)同奮取,以品質(zhì)、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng),我們一直在路上!